Справочник MOSFET. MTDN3018S6R

 

MTDN3018S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDN3018S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для MTDN3018S6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN3018S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  cystek
 mtdn3018s6r.pdf pdf_icon

MTDN3018S6R

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2007.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN3018S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circuit

 9.1. Size:351K  cystek
 mtdn3154c6.pdf pdf_icon

MTDN3018S6R

Spec. No. : C915C6 Issued Date : 2014.05.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN3154C6 BVDSS 20VID 0.54A0.30 VGS=4.5V, ID=540mA 0.55 RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=500mA Features 1.50 VGS=1.8V, ID=350mA High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use

Другие MOSFET... MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , TK10A60D , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R , MTDN7002ZHS6R , MTDN8233CDV8 , MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 .

History: HRLF190N03K | KXF3055 | NCE20P09S | IXFN140N30P | WMB80P04TS

 

 
Back to Top

 


 
.