MTDN4228Q8 Todos los transistores

 

MTDN4228Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDN4228Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTDN4228Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  cystek
 mtdn4228q8.pdf pdf_icon

MTDN4228Q8

Spec. No. : C395Q8 Issued Date : 2006.10.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/5 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDN4228Q8 Description The MTDN4228Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for a

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History: AON6756 | IPI120N08S4-03 | CEP3120 | CEP9060N | APM4532 | SSM6P39TU | AON6758

 

 
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