MTDN4228Q8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTDN4228Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTDN4228Q8
MTDN4228Q8 Datasheet (PDF)
mtdn4228q8.pdf

Spec. No. : C395Q8 Issued Date : 2006.10.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/5 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDN4228Q8 Description The MTDN4228Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for a
Другие MOSFET... MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , IRF1010E , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R , MTDN7002ZHS6R , MTDN8233CDV8 , MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 .
History: GSM3481S
History: GSM3481S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor