MTDN4228Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDN4228Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTDN4228Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN4228Q8 даташит

 ..1. Size:245K  cystek
 mtdn4228q8.pdf pdf_icon

MTDN4228Q8

Spec. No. C395Q8 Issued Date 2006.10.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/5 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDN4228Q8 Description The MTDN4228Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for a

Другие IGBT... MTDE5P10N3, MTDK1S6R, MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, 12N60, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R, MTDN7002ZHS6R, MTDN8233CDV8, MTDN8233X6, MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8