MTDN5820Z6 Todos los transistores

 

MTDN5820Z6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDN5820Z6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN2X5Z6
 

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MTDN5820Z6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  cystek
 mtdn5820z6.pdf pdf_icon

MTDN5820Z6

Spec. No. : C911Z6 Issued Date : 2013.11.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 20V Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTDN5820Z6 ID VGS=4.5V 11A6.0m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 6.0m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 6.2 m VGS=3.1V, ID=5.5A 6.7 m VGS=2.5V, ID=5.5A 7.8 m Description The MTDN5820Z6

Otros transistores... MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , 4435 , MTDN6303S6R , MTDN7002ZHS6R , MTDN8233CDV8 , MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 .

History: HM4412A | IRFH8311TRPBF | SSW60R190S2 | IXFB72N55Q2 | ME9435AS-G | R6024KNZ | SSM9915K

 

 
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