Справочник MOSFET. MTDN5820Z6

 

MTDN5820Z6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDN5820Z6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TDFN2X5Z6
 

 Аналог (замена) для MTDN5820Z6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN5820Z6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  cystek
 mtdn5820z6.pdf pdf_icon

MTDN5820Z6

Spec. No. : C911Z6 Issued Date : 2013.11.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 20V Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTDN5820Z6 ID VGS=4.5V 11A6.0m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 6.0m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 6.2 m VGS=3.1V, ID=5.5A 6.7 m VGS=2.5V, ID=5.5A 7.8 m Description The MTDN5820Z6

Другие MOSFET... MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , 4435 , MTDN6303S6R , MTDN7002ZHS6R , MTDN8233CDV8 , MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 .

History: TPC6003 | GT110N06D5 | SI4558DY | KTK5132V

 

 
Back to Top

 


 
.