MTDN5820Z6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDN5820Z6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TDFN2X5Z6

Аналог (замена) для MTDN5820Z6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN5820Z6 даташит

 ..1. Size:351K  cystek
 mtdn5820z6.pdf pdf_icon

MTDN5820Z6

Spec. No. C911Z6 Issued Date 2013.11.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 20V Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN5820Z6 ID VGS=4.5V 11A 6.0m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 6.0m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 6.2 m VGS=3.1V, ID=5.5A 6.7 m VGS=2.5V, ID=5.5A 7.8 m Description The MTDN5820Z6

Другие IGBT... MTDK1S6R, MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, 5N65, MTDN6303S6R, MTDN7002ZHS6R, MTDN8233CDV8, MTDN8233X6, MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8, MTDN9926Q8