Справочник MOSFET. MTDN5820Z6

 

MTDN5820Z6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDN5820Z6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TDFN2X5Z6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN5820Z6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  cystek
 mtdn5820z6.pdf pdf_icon

MTDN5820Z6

Spec. No. : C911Z6 Issued Date : 2013.11.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 20V Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTDN5820Z6 ID VGS=4.5V 11A6.0m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 6.0m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 6.2 m VGS=3.1V, ID=5.5A 6.7 m VGS=2.5V, ID=5.5A 7.8 m Description The MTDN5820Z6

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSG65R360PEF | IRLZ14A | IXTH75N15 | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.