MTDN6303S6R Todos los transistores

 

MTDN6303S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDN6303S6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
 

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MTDN6303S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  cystek
 mtdn6303s6r.pdf pdf_icon

MTDN6303S6R

Spec. No. : C814S6R Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.15 Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) BVDSS 20VMTDN6303S6R ID 760mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 370m(typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=400mA 500m(typ) Features RDSON@VGS=1.8V, ID=350mA 1.1 (typ) Low on-resistance High ESD capability High speed switching

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History: WMO4N65D1B | CEU20P10

 

 
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