MTDN6303S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDN6303S6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: SOT-363R

Аналог (замена) для MTDN6303S6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN6303S6R даташит

 ..1. Size:328K  cystek
 mtdn6303s6r.pdf pdf_icon

MTDN6303S6R

Spec. No. C814S6R Issued Date 2012.05.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.15 Page No. 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) BVDSS 20V MTDN6303S6R ID 760mA RDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 370m (typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=400mA 500m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V, ID=350mA 1.1 (typ) Low on-resistance High ESD capability High speed switching

Другие IGBT... MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, IRF1010E, MTDN7002ZHS6R, MTDN8233CDV8, MTDN8233X6, MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8, MTDN9926Q8, MTDN9946Q8