Справочник MOSFET. MTDN6303S6R

 

MTDN6303S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDN6303S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для MTDN6303S6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN6303S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  cystek
 mtdn6303s6r.pdf pdf_icon

MTDN6303S6R

Spec. No. : C814S6R Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.15 Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) BVDSS 20VMTDN6303S6R ID 760mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 370m(typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=400mA 500m(typ) Features RDSON@VGS=1.8V, ID=350mA 1.1 (typ) Low on-resistance High ESD capability High speed switching

Другие MOSFET... MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , IRF530 , MTDN7002ZHS6R , MTDN8233CDV8 , MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 , MTDN9946Q8 .

 

 
Back to Top

 


 
.