Справочник MOSFET. MTDN6303S6R

 

MTDN6303S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDN6303S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.76 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN6303S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  cystek
 mtdn6303s6r.pdf pdf_icon

MTDN6303S6R

Spec. No. : C814S6R Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.15 Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) BVDSS 20VMTDN6303S6R ID 760mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 370m(typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=400mA 500m(typ) Features RDSON@VGS=1.8V, ID=350mA 1.1 (typ) Low on-resistance High ESD capability High speed switching

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MTEE2N20FP | 2SK3901-ZK | MTE13N08J3 | 2N4338 | SI1402DH | VIS30023 | OSG65R2K4FF

 

 
Back to Top

 


 
.