MTDN7002ZHS6R Todos los transistores

 

MTDN7002ZHS6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDN7002ZHS6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTDN7002ZHS6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  cystek
 mtdn7002zhs6r.pdf pdf_icon

MTDN7002ZHS6R

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2007.11.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN7002ZHS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circ

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NTMFS4925NT1G | VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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