MTDN7002ZHS6R Todos los transistores

 

MTDN7002ZHS6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDN7002ZHS6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
 

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MTDN7002ZHS6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  cystek
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MTDN7002ZHS6R

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2007.11.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN7002ZHS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circ

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History: IRFB4410ZPBF | IRFB3206PBF | SI5404BDC | SFG10R75BCF | KU056N03Q | HRP30N04K | KMB6D0DN35QB

 

 
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