Справочник MOSFET. MTDN7002ZHS6R

 

MTDN7002ZHS6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDN7002ZHS6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для MTDN7002ZHS6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN7002ZHS6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  cystek
 mtdn7002zhs6r.pdf pdf_icon

MTDN7002ZHS6R

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2007.11.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN7002ZHS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circ

Другие MOSFET... MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R , AON7506 , MTDN8233CDV8 , MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 , MTDN9946Q8 , MTDN9971Q8 .

History: OSG50R1K5PF | NCE30H12AK

 

 
Back to Top

 


 
.