MTDN7002ZHS6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDN7002ZHS6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-363R

Аналог (замена) для MTDN7002ZHS6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN7002ZHS6R даташит

 ..1. Size:259K  cystek
 mtdn7002zhs6r.pdf pdf_icon

MTDN7002ZHS6R

Spec. No. C320S6R Issued Date 2007.11.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.04 Page No. 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN7002ZHS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circ

Другие IGBT... MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R, IRFB3607, MTDN8233CDV8, MTDN8233X6, MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8, MTDN9926Q8, MTDN9946Q8, MTDN9971Q8