FSJ055R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSJ055R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO254AA

 Búsqueda de reemplazo de FSJ055R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FSJ055R datasheet

 8.1. Size:71K  intersil
 fsj055.pdf pdf_icon

FSJ055R

FSJ055D, FSJ055R Data Sheet October 1999 File Number 4250.5 70A, 60V, 0.012 Ohm, Radiation Hardened, Features SEGR Resistant, N-Channel Power 70A, 60V, rDS(ON) = 0.012 MOSFETs Total Dose The Discrete Products Operation of Intersil has developed a - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Single Event designed for

Otros transistores... FSF254R, FSF450D, FSF450R, FSF9150D, FSF9150R, FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, IRF540N, FSJ160D, FSJ160R, FSJ260D, FSJ260R, FSJ264D, FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R