FSJ055R Todos los transistores

 

FSJ055R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSJ055R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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FSJ055R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:71K  intersil
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FSJ055R

FSJ055D, FSJ055RData Sheet October 1999 File Number 4250.570A, 60V, 0.012 Ohm, Radiation Hardened, FeaturesSEGR Resistant, N-Channel Power 70A, 60V, rDS(ON) = 0.012MOSFETs Total DoseThe Discrete Products Operation of Intersil has developed a- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Single Eventdesigned for

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History: SIA429DJT | IRFS644A | P2003BEAA | SPP20N05L | ME2301S | 2N6793 | VBP15R50S

 

 
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