FSJ055R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FSJ055R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
FSJ055R Datasheet (PDF)
fsj055.pdf

FSJ055D, FSJ055RData Sheet October 1999 File Number 4250.570A, 60V, 0.012 Ohm, Radiation Hardened, FeaturesSEGR Resistant, N-Channel Power 70A, 60V, rDS(ON) = 0.012MOSFETs Total DoseThe Discrete Products Operation of Intersil has developed a- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Single Eventdesigned for
Другие MOSFET... FSF254R , FSF450D , FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , IRF540 , FSJ160D , FSJ160R , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R .
History: QM2417Y1
History: QM2417Y1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830