FSJ055R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSJ055R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSJ055R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ055R даташит

 8.1. Size:71K  intersil
 fsj055.pdf pdf_icon

FSJ055R

FSJ055D, FSJ055R Data Sheet October 1999 File Number 4250.5 70A, 60V, 0.012 Ohm, Radiation Hardened, Features SEGR Resistant, N-Channel Power 70A, 60V, rDS(ON) = 0.012 MOSFETs Total Dose The Discrete Products Operation of Intersil has developed a - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Single Event designed for

Другие IGBT... FSF254R, FSF450D, FSF450R, FSF9150D, FSF9150R, FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, IRF540N, FSJ160D, FSJ160R, FSJ260D, FSJ260R, FSJ264D, FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R