MTDNK2N6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDNK2N6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.51 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.1 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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MTDNK2N6 datasheet

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MTDNK2N6

Spec. No. C446N6 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2009.06.15 Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/7 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET BVDSS 60V ID 0.51A MTDNK2N6 RDSON(MAX) 1.6 Description The MTDNK2N6 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Otros transistores... MTDN8233X6, MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8, MTDN9926Q8, MTDN9946Q8, MTDN9971Q8, MTDN9973Q8, BS170, MTDP2004S6R, MTDP4953BDYQ8, MTDP4953Q8, MTDP9620T8, MTE010N10E3, MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3