MTDNK2N6 Todos los transistores

 

MTDNK2N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDNK2N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
 

 Búsqueda de reemplazo de MTDNK2N6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTDNK2N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  cystek
 mtdnk2n6.pdf pdf_icon

MTDNK2N6

Spec. No. : C446N6 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2009.06.15 Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/7 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET BVDSS 60VID 0.51AMTDNK2N6 RDSON(MAX) 1.6 Description The MTDNK2N6 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Otros transistores... MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 , MTDN9946Q8 , MTDN9971Q8 , MTDN9973Q8 , 18N50 , MTDP2004S6R , MTDP4953BDYQ8 , MTDP4953Q8 , MTDP9620T8 , MTE010N10E3 , MTE010N10FP , MTE040N20P3 , MTE05N08E3 .

History: IPI040N06N3G | STB14NK60Z-1 | NCE15P25 | SML20H45 | WTX1012 | WTK9431 | WMB025N06HG4

 

 
Back to Top

 


 
.