MTDNK2N6 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTDNK2N6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTDNK2N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для MTDNK2N6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDNK2N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  cystek
 mtdnk2n6.pdf pdf_icon

MTDNK2N6

Spec. No. : C446N6 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2009.06.15 Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/7 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET BVDSS 60VID 0.51AMTDNK2N6 RDSON(MAX) 1.6 Description The MTDNK2N6 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Другие MOSFET... MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 , MTDN9946Q8 , MTDN9971Q8 , MTDN9973Q8 , 18N50 , MTDP2004S6R , MTDP4953BDYQ8 , MTDP4953Q8 , MTDP9620T8 , MTE010N10E3 , MTE010N10FP , MTE040N20P3 , MTE05N08E3 .

 

 
Back to Top

 


 
.