MTDNK2N6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDNK2N6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для MTDNK2N6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDNK2N6 даташит

 ..1. Size:326K  cystek
 mtdnk2n6.pdf pdf_icon

MTDNK2N6

Spec. No. C446N6 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2009.06.15 Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/7 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET BVDSS 60V ID 0.51A MTDNK2N6 RDSON(MAX) 1.6 Description The MTDNK2N6 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Другие IGBT... MTDN8233X6, MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8, MTDN9926Q8, MTDN9946Q8, MTDN9971Q8, MTDN9973Q8, BS170, MTDP2004S6R, MTDP4953BDYQ8, MTDP4953Q8, MTDP9620T8, MTE010N10E3, MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3