Справочник MOSFET. MTDNK2N6

 

MTDNK2N6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDNK2N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.51 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDNK2N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  cystek
 mtdnk2n6.pdf pdf_icon

MTDNK2N6

Spec. No. : C446N6 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2009.06.15 Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/7 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET BVDSS 60VID 0.51AMTDNK2N6 RDSON(MAX) 1.6 Description The MTDNK2N6 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BSC052N08NS5 | STP21N06L | IRF7204TR | F5043 | IRFW530A | JCS19N20C | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.