Справочник MOSFET. MTDNK2N6

 

MTDNK2N6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTDNK2N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.51 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для MTDNK2N6

 

 

MTDNK2N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  cystek
 mtdnk2n6.pdf

MTDNK2N6 MTDNK2N6

Spec. No. : C446N6 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2009.06.15 Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/7 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET BVDSS 60VID 0.51AMTDNK2N6 RDSON(MAX) 1.6 Description The MTDNK2N6 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top