MTDNK2N6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTDNK2N6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.96 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.51 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.1 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 17.6 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-26
MTDNK2N6 Datasheet (PDF)
..1. Size:326K cystek
mtdnk2n6.pdf
mtdnk2n6.pdf
Spec. No. : C446N6 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2009.06.15 Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/7 Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET BVDSS 60VID 0.51AMTDNK2N6 RDSON(MAX) 1.6 Description The MTDNK2N6 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
