MTDP2004S6R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDP2004S6R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.2 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.64 Ohm

Encapsulados: SOT-363R

 Búsqueda de reemplazo de MTDP2004S6R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTDP2004S6R datasheet

 ..1. Size:632K  cystek
 mtdp2004s6r.pdf pdf_icon

MTDP2004S6R

Spec. No. C698S6R Issued Date 2012.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.10.24 Page No. 1/ 9 Dual P-CHANNEL MOSFET BVDSS -20V MTDP2004S6R ID@VGS=-4.5V, TA=25 C -500mA RDSON@VGS=-4.5V, ID=-430mA 0.64 (typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=-300mA 1.1 (typ) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-10mA 1.7 (typ) Features Low on-resistance High ESD capability Hig

Otros transistores... MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8, MTDN9926Q8, MTDN9946Q8, MTDN9971Q8, MTDN9973Q8, MTDNK2N6, 4N60, MTDP4953BDYQ8, MTDP4953Q8, MTDP9620T8, MTE010N10E3, MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3, MTE05N10E3