MTDP2004S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDP2004S6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm

Тип корпуса: SOT-363R

Аналог (замена) для MTDP2004S6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDP2004S6R даташит

 ..1. Size:632K  cystek
 mtdp2004s6r.pdf pdf_icon

MTDP2004S6R

Spec. No. C698S6R Issued Date 2012.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.10.24 Page No. 1/ 9 Dual P-CHANNEL MOSFET BVDSS -20V MTDP2004S6R ID@VGS=-4.5V, TA=25 C -500mA RDSON@VGS=-4.5V, ID=-430mA 0.64 (typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=-300mA 1.1 (typ) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-10mA 1.7 (typ) Features Low on-resistance High ESD capability Hig

Другие IGBT... MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8, MTDN9926Q8, MTDN9946Q8, MTDN9971Q8, MTDN9973Q8, MTDNK2N6, 4N60, MTDP4953BDYQ8, MTDP4953Q8, MTDP9620T8, MTE010N10E3, MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3, MTE05N10E3