Справочник MOSFET. MTDP2004S6R

 

MTDP2004S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDP2004S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для MTDP2004S6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDP2004S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  cystek
 mtdp2004s6r.pdf pdf_icon

MTDP2004S6R

Spec. No. : C698S6R Issued Date : 2012.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/ 9 Dual P-CHANNEL MOSFET BVDSS -20V MTDP2004S6R ID@VGS=-4.5V, TA=25C -500mA RDSON@VGS=-4.5V, ID=-430mA 0.64(typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=-300mA 1.1 (typ) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-10mA 1.7 (typ) Features Low on-resistance High ESD capability Hig

Другие MOSFET... MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 , MTDN9946Q8 , MTDN9971Q8 , MTDN9973Q8 , MTDNK2N6 , 10N65 , MTDP4953BDYQ8 , MTDP4953Q8 , MTDP9620T8 , MTE010N10E3 , MTE010N10FP , MTE040N20P3 , MTE05N08E3 , MTE05N10E3 .

History: FQA6N80

 

 
Back to Top

 


 
.