MTDP2004S6R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTDP2004S6R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
Тип корпуса: SOT-363R
Аналог (замена) для MTDP2004S6R
MTDP2004S6R Datasheet (PDF)
mtdp2004s6r.pdf
Spec. No. : C698S6R Issued Date : 2012.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/ 9 Dual P-CHANNEL MOSFET BVDSS -20V MTDP2004S6R ID@VGS=-4.5V, TA=25C -500mA RDSON@VGS=-4.5V, ID=-430mA 0.64(typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=-300mA 1.1 (typ) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-10mA 1.7 (typ) Features Low on-resistance High ESD capability Hig
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRF7420PBF
History: IRF7420PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918