FSJ160D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSJ160D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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FSJ160D datasheet

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FSJ160D

FSJ160D, FSJ160R 70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 70A, 100V, rDS(ON) = 0.022 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (

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