FSJ160D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSJ160D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FSJ160D
FSJ160D Datasheet (PDF)
fsj160.pdf
FSJ160D, FSJ160R70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 70A, 100V, rDS(ON) = 0.022 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (
Otros transistores... FSF450D , FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , FSJ055R , IRF540N , FSJ160R , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918