FSJ160D - аналоги и даташиты транзистора

 

FSJ160D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FSJ160D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для FSJ160D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ160D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:66K  intersil
 fsj160.pdf pdf_icon

FSJ160D

FSJ160D, FSJ160R70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 70A, 100V, rDS(ON) = 0.022 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (

Другие MOSFET... FSF450D , FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , FSJ055R , IRF540 , FSJ160R , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D .

History: RQ3E150GN | RQ3E130MN | CEB75A3 | BUK9107-55ATE | RQ5E030AJ | IRF1018ES | HY4004P

 

 
Back to Top

 


 
.