MTDP4953BDYQ8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTDP4953BDYQ8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTDP4953BDYQ8
MTDP4953BDYQ8 Datasheet (PDF)
mtdp4953bdyq8.pdf
Spec. No. : C401Q8 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDP4953BDYQ8 Description The MTDP4953BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SO
mtdp4953q8.pdf
Spec. No. : C402Q8 Issued Date : 2006.06.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2014.06.10 Page No. : 1/8 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTDP4953Q8 ID -5.3ARDSON@VGS=-10V, ID=-5A 50m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 75m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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