Справочник MOSFET. MTDP4953BDYQ8

 

MTDP4953BDYQ8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDP4953BDYQ8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDP4953BDYQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  cystek
 mtdp4953bdyq8.pdf pdf_icon

MTDP4953BDYQ8

Spec. No. : C401Q8 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDP4953BDYQ8 Description The MTDP4953BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SO

 6.1. Size:323K  cystek
 mtdp4953q8.pdf pdf_icon

MTDP4953BDYQ8

Spec. No. : C402Q8 Issued Date : 2006.06.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2014.06.10 Page No. : 1/8 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTDP4953Q8 ID -5.3ARDSON@VGS=-10V, ID=-5A 50m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 75m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 4N65KL-T2Q-R | BF1206F | LSD70R640GT | STP40NF03L | NCE70N1K1I | TK3A60DA

 

 
Back to Top

 


 
.