Справочник MOSFET. MTDP4953BDYQ8

 

MTDP4953BDYQ8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDP4953BDYQ8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTDP4953BDYQ8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDP4953BDYQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  cystek
 mtdp4953bdyq8.pdf pdf_icon

MTDP4953BDYQ8

Spec. No. : C401Q8 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDP4953BDYQ8 Description The MTDP4953BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SO

 6.1. Size:323K  cystek
 mtdp4953q8.pdf pdf_icon

MTDP4953BDYQ8

Spec. No. : C402Q8 Issued Date : 2006.06.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2014.06.10 Page No. : 1/8 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTDP4953Q8 ID -5.3ARDSON@VGS=-10V, ID=-5A 50m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 75m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and

Другие MOSFET... MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 , MTDN9946Q8 , MTDN9971Q8 , MTDN9973Q8 , MTDNK2N6 , MTDP2004S6R , STF13NM60N , MTDP4953Q8 , MTDP9620T8 , MTE010N10E3 , MTE010N10FP , MTE040N20P3 , MTE05N08E3 , MTE05N10E3 , MTE130N20FP .

History: MTP15N05L | MTDP2004S6R | FQA6N80

 

 
Back to Top

 


 
.