MTE040N20P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTE040N20P3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
Carga de la puerta (Qg): 98.5 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 392 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0302 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTE040N20P3
MTE040N20P3 Datasheet (PDF)
mte040n20p3.pdf
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Spec. No. : C872P3 Issued Date : 2014.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE040N20P3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=28A 30.2m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 29.3m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MT
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