MTE040N20P3 Todos los transistores

 

MTE040N20P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE040N20P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 392 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0302 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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MTE040N20P3 Datasheet (PDF)

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MTE040N20P3

Spec. No. : C872P3 Issued Date : 2014.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE040N20P3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=28A 30.2m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 29.3m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MT

Otros transistores... MTDN9973Q8 , MTDNK2N6 , MTDP2004S6R , MTDP4953BDYQ8 , MTDP4953Q8 , MTDP9620T8 , MTE010N10E3 , MTE010N10FP , IRF2807 , MTE05N08E3 , MTE05N10E3 , MTE130N20FP , MTE130N20KE3 , MTE130N20KF3 , MTE130N20KFP , MTE130N20KJ3 , MTE13N08J3 .

History: IXTP4N60P | APT5030AVR | IXTP50N20PM | RFH25N20 | APT6035SVR | CES2323

 

 
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