MTE040N20P3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE040N20P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 392 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0302 Ohm

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de MTE040N20P3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTE040N20P3 datasheet

 ..1. Size:549K  cystek
 mte040n20p3.pdf pdf_icon

MTE040N20P3

Spec. No. C872P3 Issued Date 2014.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE040N20P3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=28A 30.2m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 29.3m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MT

Otros transistores... MTDN9973Q8, MTDNK2N6, MTDP2004S6R, MTDP4953BDYQ8, MTDP4953Q8, MTDP9620T8, MTE010N10E3, MTE010N10FP, RFP50N06, MTE05N08E3, MTE05N10E3, MTE130N20FP, MTE130N20KE3, MTE130N20KF3, MTE130N20KFP, MTE130N20KJ3, MTE13N08J3