MTE040N20P3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTE040N20P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTE040N20P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0302 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для MTE040N20P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE040N20P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  cystek
 mte040n20p3.pdf pdf_icon

MTE040N20P3

Spec. No. : C872P3 Issued Date : 2014.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE040N20P3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=28A 30.2m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 29.3m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MT

Другие MOSFET... MTDN9973Q8 , MTDNK2N6 , MTDP2004S6R , MTDP4953BDYQ8 , MTDP4953Q8 , MTDP9620T8 , MTE010N10E3 , MTE010N10FP , SKD502T , MTE05N08E3 , MTE05N10E3 , MTE130N20FP , MTE130N20KE3 , MTE130N20KF3 , MTE130N20KFP , MTE130N20KJ3 , MTE13N08J3 .

 

 
Back to Top

 


 
.