MTE040N20P3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE040N20P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0302 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для MTE040N20P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE040N20P3 даташит

 ..1. Size:549K  cystek
 mte040n20p3.pdf pdf_icon

MTE040N20P3

Spec. No. C872P3 Issued Date 2014.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE040N20P3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=28A 30.2m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 29.3m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MT

Другие IGBT... MTDN9973Q8, MTDNK2N6, MTDP2004S6R, MTDP4953BDYQ8, MTDP4953Q8, MTDP9620T8, MTE010N10E3, MTE010N10FP, RFP50N06, MTE05N08E3, MTE05N10E3, MTE130N20FP, MTE130N20KE3, MTE130N20KF3, MTE130N20KFP, MTE130N20KJ3, MTE13N08J3