Справочник MOSFET. MTE040N20P3

 

MTE040N20P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTE040N20P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0302 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE040N20P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  cystek
 mte040n20p3.pdf pdf_icon

MTE040N20P3

Spec. No. : C872P3 Issued Date : 2014.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE040N20P3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=28A 30.2m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 29.3m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MT

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FW812 | MTNK3W3 | BUK207-50X | SI1402DH | 2N4338 | KNF3725A | MTB24B03Q8

 

 
Back to Top

 


 
.