FSJ160R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSJ160R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO254AA

 Búsqueda de reemplazo de FSJ160R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FSJ160R datasheet

 8.1. Size:66K  intersil
 fsj160.pdf pdf_icon

FSJ160R

FSJ160D, FSJ160R 70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 70A, 100V, rDS(ON) = 0.022 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (

Otros transistores... FSF450R, FSF9150D, FSF9150R, FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, FSJ055R, FSJ160D, 50N06, FSJ260D, FSJ260R, FSJ264D, FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R, FSJ9260D, FSJ9260R