FSJ160R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSJ160R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSJ160R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ160R даташит

 8.1. Size:66K  intersil
 fsj160.pdf pdf_icon

FSJ160R

FSJ160D, FSJ160R 70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 70A, 100V, rDS(ON) = 0.022 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (

Другие IGBT... FSF450R, FSF9150D, FSF9150R, FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, FSJ055R, FSJ160D, 50N06, FSJ260D, FSJ260R, FSJ264D, FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R, FSJ9260D, FSJ9260R