FSJ160R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FSJ160R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для FSJ160R
FSJ160R Datasheet (PDF)
fsj160.pdf

FSJ160D, FSJ160R70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 70A, 100V, rDS(ON) = 0.022 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (
Другие MOSFET... FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , 50N06 , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D , FSJ9260R .
History: FDS8926A | FDS2672F085
History: FDS8926A | FDS2672F085



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193