Справочник MOSFET. FSJ160R

 

FSJ160R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSJ160R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ160R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:66K  intersil
 fsj160.pdf pdf_icon

FSJ160R

FSJ160D, FSJ160R70A, 100V, 0.022 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 70A, 100V, rDS(ON) = 0.022 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (

Другие MOSFET... FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , 50N06 , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D , FSJ9260R .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.