MTE20N10FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE20N10FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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MTE20N10FP datasheet

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MTE20N10FP

Spec. No. C883FP Issued Date 2012.11.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.05.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE20N10FP ID 28A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 18 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=15A 20 m (typ) Description The MTE20N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fa

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