MTE20N10FP Todos los transistores

 

MTE20N10FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE20N10FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTE20N10FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  cystek
 mte20n10fp.pdf pdf_icon

MTE20N10FP

Spec. No. : C883FP Issued Date : 2012.11.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE20N10FP ID 28ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 18 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=15A 20 m(typ) Description The MTE20N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fa

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTU2N80P | MEE7816AS-G | SVSP14N60TD2

 

 
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