MTE20N10FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE20N10FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTE20N10FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE20N10FP даташит

 ..1. Size:343K  cystek
 mte20n10fp.pdf pdf_icon

MTE20N10FP

Spec. No. C883FP Issued Date 2012.11.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.05.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE20N10FP ID 28A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 18 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=15A 20 m (typ) Description The MTE20N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fa

Другие IGBT... MTE130N20KF3, MTE130N20KFP, MTE130N20KJ3, MTE13N08J3, MTE1K0P15KN3, MTE1K8N25J3, MTE1K8N25KJ3, MTE1K8N25KM3, AO3400A, MTE50N10FP, MTE50N15FP, MTE50N15J3, MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3