MTE20N10FP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTE20N10FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для MTE20N10FP
MTE20N10FP Datasheet (PDF)
mte20n10fp.pdf

Spec. No. : C883FP Issued Date : 2012.11.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE20N10FP ID 28ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 18 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=15A 20 m(typ) Description The MTE20N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fa
Другие MOSFET... MTE130N20KF3 , MTE130N20KFP , MTE130N20KJ3 , MTE13N08J3 , MTE1K0P15KN3 , MTE1K8N25J3 , MTE1K8N25KJ3 , MTE1K8N25KM3 , RU6888R , MTE50N10FP , MTE50N15FP , MTE50N15J3 , MTE50N15Q8 , MTE65N15FP , MTE65N15J3 , MTE65N20F3 , MTE65N20J3 .
History: AOSD32334C | HSBB3214 | SQ3985EV | NCEP045N85G
History: AOSD32334C | HSBB3214 | SQ3985EV | NCEP045N85G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo