Справочник MOSFET. MTE20N10FP

 

MTE20N10FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE20N10FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

 Аналог (замена) для MTE20N10FP

 

 

MTE20N10FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  cystek
 mte20n10fp.pdf

MTE20N10FP MTE20N10FP

Spec. No. : C883FP Issued Date : 2012.11.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE20N10FP ID 28ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 18 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=15A 20 m(typ) Description The MTE20N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top