MTE50N15Q8 Todos los transistores

 

MTE50N15Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE50N15Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de MTE50N15Q8 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTE50N15Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  cystek
 mte50n15q8.pdf pdf_icon

MTE50N15Q8

Spec. No. : C931Q8 Issued Date : 2014.03.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.24 Page No. : 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTE50N15Q8 ID @VGS=10V 7.7ARDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=8V, ID=5A 40 m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

 6.1. Size:382K  cystek
 mte50n15j3.pdf pdf_icon

MTE50N15Q8

Spec. No. : C931J3 Issued Date : 2014.02.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15J3 ID 28ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS com

 6.2. Size:299K  cystek
 mte50n15fp.pdf pdf_icon

MTE50N15Q8

Spec. No. : C931FP Issued Date : 2013.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15FP ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulatin

 7.1. Size:297K  cystek
 mte50n10fp.pdf pdf_icon

MTE50N15Q8

Spec. No. : C893FP Issued Date : 2013.05.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE50N10FP ID 23ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 32 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 35 m(typ) Description The MTE50N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... MTE1K0P15KN3 , MTE1K8N25J3 , MTE1K8N25KJ3 , MTE1K8N25KM3 , MTE20N10FP , MTE50N10FP , MTE50N15FP , MTE50N15J3 , MMIS60R580P , MTE65N15FP , MTE65N15J3 , MTE65N20F3 , MTE65N20J3 , MTEA0N10J3 , MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 , MTEA2N15Q8 .

History: STD30NF06L | STD30NF06 | NDP5060

 

 
Back to Top

 


 
.