Справочник MOSFET. MTE50N15Q8

 

MTE50N15Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE50N15Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTE50N15Q8

 

 

MTE50N15Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  cystek
 mte50n15q8.pdf

MTE50N15Q8 MTE50N15Q8

Spec. No. : C931Q8 Issued Date : 2014.03.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.24 Page No. : 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTE50N15Q8 ID @VGS=10V 7.7ARDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=8V, ID=5A 40 m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

 6.1. Size:382K  cystek
 mte50n15j3.pdf

MTE50N15Q8 MTE50N15Q8

Spec. No. : C931J3 Issued Date : 2014.02.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15J3 ID 28ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS com

 6.2. Size:299K  cystek
 mte50n15fp.pdf

MTE50N15Q8 MTE50N15Q8

Spec. No. : C931FP Issued Date : 2013.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15FP ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulatin

 7.1. Size:297K  cystek
 mte50n10fp.pdf

MTE50N15Q8 MTE50N15Q8

Spec. No. : C893FP Issued Date : 2013.05.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE50N10FP ID 23ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 32 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 35 m(typ) Description The MTE50N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top