MTEA0N10J3 Todos los transistores

 

MTEA0N10J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEA0N10J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTEA0N10J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  cystek
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MTEA0N10J3

Spec. No. : C871J3 Issued Date : 2013.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTEA0N10J3 ID 16A83m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 100m VGS=6V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTEA0N10

 6.1. Size:366K  cystek
 mtea0n10q8.pdf pdf_icon

MTEA0N10J3

Spec. No. : C871Q8 Issued Date : 2014.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTEA0N10Q8ID 5.6ARDSON@VGS=10V, ID=4A 76m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3A 90m(typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and hal

Otros transistores... MTE50N10FP , MTE50N15FP , MTE50N15J3 , MTE50N15Q8 , MTE65N15FP , MTE65N15J3 , MTE65N20F3 , MTE65N20J3 , IRF9640 , MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 , MTEA2N15Q8 , MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , MTEB4N15J3 , MTEB6N20J3 , MTED6N25J3 .

History: ME60N04 | HCP60R099 | WST2337A | ME70N03S | HCP65R110

 

 
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