Справочник MOSFET. MTEA0N10J3

 

MTEA0N10J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEA0N10J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEA0N10J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  cystek
 mtea0n10j3.pdf pdf_icon

MTEA0N10J3

Spec. No. : C871J3 Issued Date : 2013.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTEA0N10J3 ID 16A83m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 100m VGS=6V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTEA0N10

 6.1. Size:366K  cystek
 mtea0n10q8.pdf pdf_icon

MTEA0N10J3

Spec. No. : C871Q8 Issued Date : 2014.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTEA0N10Q8ID 5.6ARDSON@VGS=10V, ID=4A 76m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3A 90m(typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and hal

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | TK3A60DA | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.