MTEA0N10Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTEA0N10Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de MTEA0N10Q8 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTEA0N10Q8 datasheet

 ..1. Size:366K  cystek
 mtea0n10q8.pdf pdf_icon

MTEA0N10Q8

Spec. No. C871Q8 Issued Date 2014.06.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTEA0N10Q8 ID 5.6A RDSON@VGS=10V, ID=4A 76m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3A 90m (typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and hal

 6.1. Size:265K  cystek
 mtea0n10j3.pdf pdf_icon

MTEA0N10Q8

Spec. No. C871J3 Issued Date 2013.01.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTEA0N10J3 ID 16A 83m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 100m VGS=6V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTEA0N10

Otros transistores... MTE50N15FP, MTE50N15J3, MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, IRFB7545, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3