MTEA0N10Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTEA0N10Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTEA0N10Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:366K cystek
mtea0n10q8.pdf

Spec. No. : C871Q8 Issued Date : 2014.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTEA0N10Q8ID 5.6ARDSON@VGS=10V, ID=4A 76m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3A 90m(typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and hal

6.1. Size:265K cystek
mtea0n10j3.pdf

Spec. No. : C871J3 Issued Date : 2013.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTEA0N10J3 ID 16A83m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 100m VGS=6V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTEA0N10

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MTE65N20H8

Liste

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