Справочник MOSFET. MTEA0N10Q8

 

MTEA0N10Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTEA0N10Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTEA0N10Q8

 

 

MTEA0N10Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cystek
 mtea0n10q8.pdf

MTEA0N10Q8 MTEA0N10Q8

Spec. No. : C871Q8 Issued Date : 2014.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTEA0N10Q8ID 5.6ARDSON@VGS=10V, ID=4A 76m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3A 90m(typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and hal

 6.1. Size:265K  cystek
 mtea0n10j3.pdf

MTEA0N10Q8 MTEA0N10Q8

Spec. No. : C871J3 Issued Date : 2013.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTEA0N10J3 ID 16A83m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 100m VGS=6V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTEA0N10

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top