MTEA0N10Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEA0N10Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTEA0N10Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEA0N10Q8 даташит

 ..1. Size:366K  cystek
 mtea0n10q8.pdf pdf_icon

MTEA0N10Q8

Spec. No. C871Q8 Issued Date 2014.06.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTEA0N10Q8 ID 5.6A RDSON@VGS=10V, ID=4A 76m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3A 90m (typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and hal

 6.1. Size:265K  cystek
 mtea0n10j3.pdf pdf_icon

MTEA0N10Q8

Spec. No. C871J3 Issued Date 2013.01.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTEA0N10J3 ID 16A 83m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 100m VGS=6V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTEA0N10

Другие IGBT... MTE50N15FP, MTE50N15J3, MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, IRFB7545, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3