MTEA2N15L3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTEA2N15L3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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MTEA2N15L3 datasheet

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MTEA2N15L3

Spec. No. C880L3 Issued Date 2012.10.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEA2N15L3 ID 3A RDSON@VGS=10V, ID=1.6A 125m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=1A 141m (typ) Description The MTEA2N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw

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MTEA2N15L3

Spec. No. C880Q8 Issued Date 2012.10.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEA2N15Q8 ID 4A RDSON@VGS=10V, ID=3.9A 122m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3.3A 140m (typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead

Otros transistores... MTE50N15J3, MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, AON7403, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP