MTEA2N15L3 Todos los transistores

 

MTEA2N15L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEA2N15L3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTEA2N15L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  cystek
 mtea2n15l3.pdf pdf_icon

MTEA2N15L3

Spec. No. : C880L3 Issued Date : 2012.10.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEA2N15L3ID 3ARDSON@VGS=10V, ID=1.6A 125m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=1A 141m(typ) Description The MTEA2N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw

 6.1. Size:340K  cystek
 mtea2n15q8.pdf pdf_icon

MTEA2N15L3

Spec. No. : C880Q8 Issued Date : 2012.10.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEA2N15Q8ID 4ARDSON@VGS=10V, ID=3.9A 122m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3.3A 140m(typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BF1118 | SUM90P10-19 | HY3403P | FQB19N20TM | MTD30N10Q8 | STU7NM60N | KND3302A

 

 
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