MTEA2N15L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEA2N15L3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MTEA2N15L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEA2N15L3 даташит

 ..1. Size:303K  cystek
 mtea2n15l3.pdf pdf_icon

MTEA2N15L3

Spec. No. C880L3 Issued Date 2012.10.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEA2N15L3 ID 3A RDSON@VGS=10V, ID=1.6A 125m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=1A 141m (typ) Description The MTEA2N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw

 6.1. Size:340K  cystek
 mtea2n15q8.pdf pdf_icon

MTEA2N15L3

Spec. No. C880Q8 Issued Date 2012.10.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEA2N15Q8 ID 4A RDSON@VGS=10V, ID=3.9A 122m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3.3A 140m (typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead

Другие IGBT... MTE50N15J3, MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, AON7403, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP