MTEA2N15L3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTEA2N15L3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 57 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для MTEA2N15L3
MTEA2N15L3 Datasheet (PDF)
mtea2n15l3.pdf
Spec. No. : C880L3 Issued Date : 2012.10.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEA2N15L3ID 3ARDSON@VGS=10V, ID=1.6A 125m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=1A 141m(typ) Description The MTEA2N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw
mtea2n15q8.pdf
Spec. No. : C880Q8 Issued Date : 2012.10.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEA2N15Q8ID 4ARDSON@VGS=10V, ID=3.9A 122m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3.3A 140m(typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
