Справочник MOSFET. MTEA2N15L3

 

MTEA2N15L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEA2N15L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MTEA2N15L3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEA2N15L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  cystek
 mtea2n15l3.pdf pdf_icon

MTEA2N15L3

Spec. No. : C880L3 Issued Date : 2012.10.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEA2N15L3ID 3ARDSON@VGS=10V, ID=1.6A 125m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=1A 141m(typ) Description The MTEA2N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw

 6.1. Size:340K  cystek
 mtea2n15q8.pdf pdf_icon

MTEA2N15L3

Spec. No. : C880Q8 Issued Date : 2012.10.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEA2N15Q8ID 4ARDSON@VGS=10V, ID=3.9A 122m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3.3A 140m(typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead

Другие MOSFET... MTE50N15J3 , MTE50N15Q8 , MTE65N15FP , MTE65N15J3 , MTE65N20F3 , MTE65N20J3 , MTEA0N10J3 , MTEA0N10Q8 , EMB04N03H , MTEA2N15Q8 , MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , MTEB4N15J3 , MTEB6N20J3 , MTED6N25J3 , MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP .

History: UF830L-TF2-T | APM3055LUC

 

 
Back to Top

 


 
.