FSJ260R Todos los transistores

 

FSJ260R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSJ260R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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FSJ260R datasheet

 8.1. Size:55K  intersil
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FSJ260R

FSJ260D, FSJ260R 44A, 200V, 0.050 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) appli... See More ⇒

 9.1. Size:57K  intersil
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FSJ260R

FSJ264D, FSJ264R 33A, 250V, 0.080 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 33A, 250V, rDS(ON) = 0.080 The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Total Dose designed for commercial and military space applications. - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) Enha... See More ⇒

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