FSJ260R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSJ260R 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: TO254AA
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FSJ260R datasheet
fsj260.pdf
FSJ260D, FSJ260R 44A, 200V, 0.050 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) appli
fsj264.pdf
FSJ264D, FSJ264R 33A, 250V, 0.080 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 33A, 250V, rDS(ON) = 0.080 The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Total Dose designed for commercial and military space applications. - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) Enha
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: AGM1099EL | MTP5N05 | APT6035BVFRG | AGM30P85D | SI7469DP | NDB6060L | SI7454CDP
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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