FSJ260R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FSJ260R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
FSJ260R Datasheet (PDF)
fsj260.pdf
FSJ260D, FSJ260R44A, 200V, 0.050 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military space- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)appli
fsj264.pdf
FSJ264D, FSJ264R33A, 250V, 0.080 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 33A, 250V, rDS(ON) = 0.080 The Discrete Products Operation of Intersil has developed aseries of Radiation Hardened MOSFETs specifically Total Dosedesigned for commercial and military space applications.- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)Enha
Другие MOSFET... FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , FSJ160R , FSJ260D , IRFP460 , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D , FSJ9260R , FSL110D , FSL110R .
