MTEA2N15Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTEA2N15Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.122 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTEA2N15Q8 datasheet

 ..1. Size:340K  cystek
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MTEA2N15Q8

Spec. No. C880Q8 Issued Date 2012.10.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEA2N15Q8 ID 4A RDSON@VGS=10V, ID=3.9A 122m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3.3A 140m (typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead

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MTEA2N15Q8

Spec. No. C880L3 Issued Date 2012.10.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEA2N15L3 ID 3A RDSON@VGS=10V, ID=1.6A 125m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=1A 141m (typ) Description The MTEA2N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw

Otros transistores... MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, K2611, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3