MTEA2N15Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTEA2N15Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.122 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTEA2N15Q8

MTEA2N15Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:340K cystek
mtea2n15q8.pdf

Spec. No. : C880Q8 Issued Date : 2012.10.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEA2N15Q8ID 4ARDSON@VGS=10V, ID=3.9A 122m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3.3A 140m(typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead

6.1. Size:303K cystek
mtea2n15l3.pdf

Spec. No. : C880L3 Issued Date : 2012.10.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.25 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEA2N15L3ID 3ARDSON@VGS=10V, ID=1.6A 125m(typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=1A 141m(typ) Description The MTEA2N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: