MTEA2N15Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEA2N15Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.122 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTEA2N15Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEA2N15Q8 даташит

 ..1. Size:340K  cystek
 mtea2n15q8.pdf pdf_icon

MTEA2N15Q8

Spec. No. C880Q8 Issued Date 2012.10.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEA2N15Q8 ID 4A RDSON@VGS=10V, ID=3.9A 122m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=3.3A 140m (typ) Features Single Drive Requirement Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead

 6.1. Size:303K  cystek
 mtea2n15l3.pdf pdf_icon

MTEA2N15Q8

Spec. No. C880L3 Issued Date 2012.10.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.25 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEA2N15L3 ID 3A RDSON@VGS=10V, ID=1.6A 125m (typ) RDSON@VGS=5.5V, ID=1A 141m (typ) Description The MTEA2N15L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw

Другие IGBT... MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, K2611, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3