MTEB4N15J3 Todos los transistores

 

MTEB4N15J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEB4N15J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.253 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTEB4N15J3 Datasheet (PDF)

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MTEB4N15J3

Spec. No. : C874J3 Issued Date : 2013.02.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEB4N15J3 ID 6A253m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 265m VGS=6V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

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History: MTED6N25J3

 

 
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