Справочник MOSFET. MTEB4N15J3

 

MTEB4N15J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEB4N15J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.253 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTEB4N15J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEB4N15J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  cystek
 mteb4n15j3.pdf pdf_icon

MTEB4N15J3

Spec. No. : C874J3 Issued Date : 2013.02.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTEB4N15J3 ID 6A253m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 265m VGS=6V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

Другие MOSFET... MTE65N20F3 , MTE65N20J3 , MTEA0N10J3 , MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 , MTEA2N15Q8 , MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , 2N7002 , MTEB6N20J3 , MTED6N25J3 , MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 .

History: MTED6N25J3 | PK5C1BA | ZXMN6A25DN8 | TTG160N03AT | BUK6D43-60E | TTX2305A | IXTN600N04T2

 

 
Back to Top

 


 
.