MTEB4N15J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEB4N15J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.253 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTEB4N15J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEB4N15J3 даташит

 ..1. Size:311K  cystek
 mteb4n15j3.pdf pdf_icon

MTEB4N15J3

Spec. No. C874J3 Issued Date 2013.02.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTEB4N15J3 ID 6A 253m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 265m VGS=6V, ID=2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

Другие IGBT... MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MMIS60R580P, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8