MTEB6N20J3 Todos los transistores

 

MTEB6N20J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEB6N20J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de MTEB6N20J3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTEB6N20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  cystek
 mteb6n20j3.pdf pdf_icon

MTEB6N20J3

Spec. No. : C875J3 Issued Date : 2012.12.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTEB6N20J3 ID 8.3ARDS(ON)@VGS=10V, ID=3A 300m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 306m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent

Otros transistores... MTE65N20J3 , MTEA0N10J3 , MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 , MTEA2N15Q8 , MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , MTEB4N15J3 , AOD4184A , MTED6N25J3 , MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 .

History: JMSL040SAG | AP6P03SI | JMTE025N04D

 

 
Back to Top

 


 
.