MTEB6N20J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTEB6N20J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MTEB6N20J3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTEB6N20J3 datasheet

 ..1. Size:305K  cystek
 mteb6n20j3.pdf pdf_icon

MTEB6N20J3

Spec. No. C875J3 Issued Date 2012.12.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTEB6N20J3 ID 8.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=3A 300m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 306m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent

Otros transistores... MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, AOD4184A, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8