MTEB6N20J3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTEB6N20J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTEB6N20J3
MTEB6N20J3 Datasheet (PDF)
mteb6n20j3.pdf

Spec. No. : C875J3 Issued Date : 2012.12.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTEB6N20J3 ID 8.3ARDS(ON)@VGS=10V, ID=3A 300m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 306m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent
Другие MOSFET... MTE65N20J3 , MTEA0N10J3 , MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 , MTEA2N15Q8 , MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , MTEB4N15J3 , HY1906P , MTED6N25J3 , MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 .
History: AP6982GN2-HF | SQ2325ES | FDD3N40TM | ME7640-G | SI4838BDY
History: AP6982GN2-HF | SQ2325ES | FDD3N40TM | ME7640-G | SI4838BDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor