Справочник MOSFET. MTEB6N20J3

 

MTEB6N20J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEB6N20J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTEB6N20J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEB6N20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  cystek
 mteb6n20j3.pdf pdf_icon

MTEB6N20J3

Spec. No. : C875J3 Issued Date : 2012.12.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTEB6N20J3 ID 8.3ARDS(ON)@VGS=10V, ID=3A 300m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 306m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent

Другие MOSFET... MTE65N20J3 , MTEA0N10J3 , MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 , MTEA2N15Q8 , MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , MTEB4N15J3 , HY1906P , MTED6N25J3 , MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 .

History: IXTN32P60P | 2SK3337W | STW47NM60ND | BSP603S2L | 2SK3433-S | 2SK2682LS

 

 
Back to Top

 


 
.