Справочник MOSFET. MTEB6N20J3

 

MTEB6N20J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEB6N20J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEB6N20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  cystek
 mteb6n20j3.pdf pdf_icon

MTEB6N20J3

Spec. No. : C875J3 Issued Date : 2012.12.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTEB6N20J3 ID 8.3ARDS(ON)@VGS=10V, ID=3A 300m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 306m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.