MTEB6N20J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEB6N20J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTEB6N20J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEB6N20J3 даташит

 ..1. Size:305K  cystek
 mteb6n20j3.pdf pdf_icon

MTEB6N20J3

Spec. No. C875J3 Issued Date 2012.12.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTEB6N20J3 ID 8.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=3A 300m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 306m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent

Другие IGBT... MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, AOD4184A, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8