MTED6N25KJ3 Todos los transistores

 

MTED6N25KJ3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTED6N25KJ3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.422 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTED6N25KJ3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  cystek
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MTED6N25KJ3

Spec. No. : C936J3 Issued Date : 2013.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 lN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTED6N25KJ3 ID @ VGS=10V 8A422m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 399m VGS=6V, ID=3A Features ESD protected Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Simple Drive Requirement Pb-free lead

 6.1. Size:310K  cystek
 mted6n25j3.pdf pdf_icon

MTED6N25KJ3

Spec. No. : C894J3 Issued Date : 2013.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTED6N25J3 ID 8A435m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 410m VGS=6V, ID=3A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

Otros transistores... MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 , MTEA2N15Q8 , MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , MTEB4N15J3 , MTEB6N20J3 , MTED6N25J3 , AO4468 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 , MTEH0N25J3 , MTEJ0P20J3 .

History: RJL5032DPP-M0 | UF630L-TF1-T | ASDM30P11TD-R | APG095N01G | AP60P20Q | 2N4119 | AUIRFN8405TR

 

 
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