MTED6N25KJ3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTED6N25KJ3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.422 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTED6N25KJ3

MTED6N25KJ3 Datasheet (PDF)

..1. Size:301K cystek
mted6n25kj3.pdf

Spec. No. : C936J3 Issued Date : 2013.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 lN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTED6N25KJ3 ID @ VGS=10V 8A422m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 399m VGS=6V, ID=3A Features ESD protected Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Simple Drive Requirement Pb-free lead

6.1. Size:310K cystek
mted6n25j3.pdf

Spec. No. : C894J3 Issued Date : 2013.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTED6N25J3 ID 8A435m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 410m VGS=6V, ID=3A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: