Справочник MOSFET. MTED6N25KJ3

 

MTED6N25KJ3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTED6N25KJ3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.422 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTED6N25KJ3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  cystek
 mted6n25kj3.pdf pdf_icon

MTED6N25KJ3

Spec. No. : C936J3 Issued Date : 2013.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 lN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTED6N25KJ3 ID @ VGS=10V 8A422m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 399m VGS=6V, ID=3A Features ESD protected Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Simple Drive Requirement Pb-free lead

 6.1. Size:310K  cystek
 mted6n25j3.pdf pdf_icon

MTED6N25KJ3

Spec. No. : C894J3 Issued Date : 2013.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTED6N25J3 ID 8A435m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 410m VGS=6V, ID=3A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BLM2305 | FTK630F | 2SK2311 | SI1402DH | 2N4338 | APT40M35JVR | CS8N80A8D

 

 
Back to Top

 


 
.