MTEE2N20FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTEE2N20FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.59 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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MTEE2N20FP datasheet

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MTEE2N20FP

Spec. No. C881FP Issued Date 2012.11.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.05.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTEE2N20FP ID 4A RDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m (typ) Description The MTEE2N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of f

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MTEE2N20FP

Spec. No. C881J3 Issued Date 2012.12.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTEE2N20J3 ID 4.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Otros transistores... MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, IRFP064N, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3