MTEE2N20FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTEE2N20FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.59 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTEE2N20FP
MTEE2N20FP Datasheet (PDF)
mtee2n20fp.pdf
Spec. No. : C881FP Issued Date : 2012.11.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20FP ID 4ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Description The MTEE2N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of f
mtee2n20j3.pdf
Spec. No. : C881J3 Issued Date : 2012.12.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20J3 ID 4.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918