MTEE2N20FP Todos los transistores

 

MTEE2N20FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEE2N20FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.59 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTEE2N20FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  cystek
 mtee2n20fp.pdf pdf_icon

MTEE2N20FP

Spec. No. : C881FP Issued Date : 2012.11.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20FP ID 4ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Description The MTEE2N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of f

 6.1. Size:308K  cystek
 mtee2n20j3.pdf pdf_icon

MTEE2N20FP

Spec. No. : C881J3 Issued Date : 2012.12.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20J3 ID 4.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BFC16 | IXTY1N100P | HGI290N10SL | MCH3475 | HY1607U

 

 
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