Справочник MOSFET. MTEE2N20FP

 

MTEE2N20FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTEE2N20FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

 Аналог (замена) для MTEE2N20FP

 

 

MTEE2N20FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  cystek
 mtee2n20fp.pdf

MTEE2N20FP MTEE2N20FP

Spec. No. : C881FP Issued Date : 2012.11.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20FP ID 4ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Description The MTEE2N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of f

 6.1. Size:308K  cystek
 mtee2n20j3.pdf

MTEE2N20FP MTEE2N20FP

Spec. No. : C881J3 Issued Date : 2012.12.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20J3 ID 4.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top