Справочник MOSFET. MTEE2N20FP

 

MTEE2N20FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEE2N20FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEE2N20FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  cystek
 mtee2n20fp.pdf pdf_icon

MTEE2N20FP

Spec. No. : C881FP Issued Date : 2012.11.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.24 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20FP ID 4ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Description The MTEE2N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of f

 6.1. Size:308K  cystek
 mtee2n20j3.pdf pdf_icon

MTEE2N20FP

Spec. No. : C881J3 Issued Date : 2012.12.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 200VMTEE2N20J3 ID 4.5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: VIS30023 | STK801 | 2SK3901-ZK | SI1402DH | 2N4338 | OSG65R2K4FF | MTE13N08J3

 

 
Back to Top

 


 
.