MTEE2N20FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEE2N20FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTEE2N20FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEE2N20FP даташит

 ..1. Size:342K  cystek
 mtee2n20fp.pdf pdf_icon

MTEE2N20FP

Spec. No. C881FP Issued Date 2012.11.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.05.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTEE2N20FP ID 4A RDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m (typ) Description The MTEE2N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of f

 6.1. Size:308K  cystek
 mtee2n20j3.pdf pdf_icon

MTEE2N20FP

Spec. No. C881J3 Issued Date 2012.12.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTEE2N20J3 ID 4.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=2.9A 650 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=1A 590 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Другие IGBT... MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, IRFP064N, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3