MTEF1P15N6 Todos los transistores

 

MTEF1P15N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEF1P15N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.661 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTEF1P15N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  cystek
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MTEF1P15N6

Spec. No. : C896N6 Issued Date : 2013.02.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.11 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTEF1P15N6 Description The MTEF1P15N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 p

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MTEF1P15N6

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

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MTEF1P15N6

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

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MTEF1P15N6

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2014.05.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

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History: MTN12N60FP | MTN3440N6

 

 
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