MTEF1P15N6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEF1P15N6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.661 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для MTEF1P15N6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEF1P15N6 даташит

 ..1. Size:352K  cystek
 mtef1p15n6.pdf pdf_icon

MTEF1P15N6

Spec. No. C896N6 Issued Date 2013.02.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.11 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTEF1P15N6 Description The MTEF1P15N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 p

 6.1. Size:690K  1
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15N6

Spec. No. C896V8 Issued Date 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25 C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.2. Size:690K  cystek
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15N6

Spec. No. C896V8 Issued Date 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25 C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.3. Size:374K  cystek
 mtef1p15v8.pdf pdf_icon

MTEF1P15N6

Spec. No. C896V8 Issued Date 2014.05.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25 C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, IRFZ44N, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, MTN003N03S3