MTEF1P15Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTEF1P15Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTEF1P15Q8 datasheet

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MTEF1P15Q8

Spec. No. C896Q8 Issued Date 2013.07.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.10.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15Q8 ID@TA=25 C, VGS=-10V -1.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.6A 650m (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-1A 700m (typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

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MTEF1P15Q8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25 C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

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MTEF1P15Q8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25 C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

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MTEF1P15Q8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2014.05.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25 C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

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