MTEF1P15Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEF1P15Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTEF1P15Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEF1P15Q8 даташит

 ..1. Size:633K  cystek
 mtef1p15q8.pdf pdf_icon

MTEF1P15Q8

Spec. No. C896Q8 Issued Date 2013.07.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.10.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15Q8 ID@TA=25 C, VGS=-10V -1.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.6A 650m (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-1A 700m (typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.1. Size:690K  1
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15Q8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25 C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.2. Size:690K  cystek
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15Q8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25 C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.3. Size:374K  cystek
 mtef1p15v8.pdf pdf_icon

MTEF1P15Q8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2014.05.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25 C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, IRF3205, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, MTN003N03S3, MTN0401LA3