MTEH0N25J3 Todos los transistores

 

MTEH0N25J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEH0N25J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTEH0N25J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cystek
 mteh0n25j3.pdf pdf_icon

MTEH0N25J3

Spec. No. : C895J3 Issued Date : 2014.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.28 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTEH0N25J3 ID@VGS=10V 3.5AVGS=10V, ID=3A 720m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=2A 720m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circ

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RTL035N03FRA | STP45NE06FP | FSJ9260D | SML120B8 | FDS8333C | TA75333

 

 
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