MTEH0N25J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTEH0N25J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTEH0N25J3 datasheet

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MTEH0N25J3

Spec. No. C895J3 Issued Date 2014.04.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.28 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTEH0N25J3 ID@VGS=10V 3.5A VGS=10V, ID=3A 720m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=2A 720m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circ

Otros transistores... MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, IRF840, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, MTN003N03S3, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3